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常关型LPCVD-SiNx/PECVD-SiNx/GaN MIS-FETs栅介质经时击穿(TDDB)和正栅偏压温度不稳定性(PBTI)的研究

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本文研究了LPCVD-SiNx/PECVD-SiNx/GaN MIS-FET的栅介质可靠性和阈值电压稳定性.该器件采用势垒层完全刻蚀的栅槽结构,并使用LPCVD-SiNx作为栅介质和PECVD-SiNx作为栅介质/半导体界面保护层.着重研究了器件的栅介质经时击穿(TDDB)和正栅偏压温度不稳定性,结果表明器件具备长的TDDB栅介质寿命和正偏压下优异的阈值稳定性.同时,基于PBTI测试和漏端电流闪烁噪声(1/f noise)分析,本文也指出了正栅压下阈值漂移的来源.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||156-158|共3页
会议地点西宁
作者
化梦媛; 钱庆凯; 魏进; 张召富; 唐高飞; 陈敬;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
金属-绝缘栅-半导体器件; 场效应管; 氮化物半导体; 栅介质; 经时击穿; 阈值正偏压; 温度不稳定性;

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