斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的可控制备

摘要

GeSi纳米结构具有空穴迁移率高,光通讯波段发光及与现有CMOS工艺相兼容等特点,其在光电子器件中具有重要的应用,如用来制作低阈值量子点激光器,单电子晶体管,探测器等.GeSi纳米结构的可控生长是实现其功能器件化的前提.然而平Si(001)衬底上获得的GeSi纳米结构具有尺寸分布不均匀且位置随机难控制的特点.因此,探寻一种简单有效的方法对GeSi纳米结构的大小,形状,分布及密度等进行调控非常重要.