InGaAs探测器的ICPCVD氮化硅钝化工艺优化

摘要

氮化硅薄膜由于具有高致密性、漏电低、抗氧化、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等优良的物理化学稳定性、光学性能,被广泛地应用于太阳能电池、光电子和微电子等领域中.由于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体界面态密度较高,界面态缺陷会产生复合中心,提供漏电通道,增大器件的暗电流,严重影响器件的电学性能.对于台面型InGaAs探测器，侧表面漏电流是暗电流的主要成分之一，这会降低器件的探测极限，因此表面钝化工艺对于InGaAs探测器性能的提升尤为重要.