一种不均衡固态存储架构研究

摘要

随着基于闪存的高速大容量存储系统的研究不断深入,NAND Flash的单片存储容量也越来越大,但因为芯片工艺尺寸进一步降低,也导致了芯片编程操作时间的增加和芯片存储单元擦写次数的降低.为了提高提高存储系统的访问效率,并保证系统的可靠性,提出了基于NAND Flash的不均衡存储组织架构.这种不均衡架构包括了3个层面的不均衡:通道总线的不均衡、Flash大小的不均衡和Flash性能的不均衡,大大提高了存储系统面对随机数据的整体性能和可靠性.