偏压感性耦合等离子体的混合模型:模型介绍及实验验证

摘要

半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动力学，并且给出IEDF，能够正确给出偏压ICP放电的等离子体密度和离子能量变化的趋势，与实验测量基本吻合，可扩展为复杂的工业气体如SF6、C4F8等，加入刻蚀槽模型可模拟实际工艺过程.