低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展

摘要

文中综述了近年来国内外关于低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展,并提出了其今后的发展方向.目前科学工作者在低介电聚酞亚胺材料领域已开展了一系列卓有成效的研究工作，有效推进了半导体工业的发展，为新一代超低介电常数聚酞亚胺材料的开发奠定了良好的研究基础。通过物理致孔的方式可以获得低介电甚至超低介电的聚酞亚胺材料，然而这些致孔的方法工艺相对比较复杂，难以控制，另外孔洞结构的引入会大大降低材料的力学性能和气密性，所获得的材料机械强度低，阻隔性能较差，无法满足实际应用的需求。而相比于多孔聚酞亚胺材料，本征型低介电常数聚酞亚胺材料不论从制备工艺还是综合性能上，更具有实际应用价值。然而，目前大部分报道的低介电聚酞亚胺材料，其介电常数目前仍只能达到2.3左右，无法满足超大规模集成电路的要求。作者所在课题组通过将刚性非平面大共辘结构引入到聚酞亚胺主链中，已开发出介电常数低至1.52且综合性能优良的本征型超低介电聚酞亚胺。在此基础上，希望能进一步开发出一种更简便高效的设计策略来指导高性能超低介电聚酞亚胺的制备。