多光子电离的非微扰规律

摘要

该文利用R-matrix-Floquet理论,通过模型势模拟负离子的多光子电离,解释了前人的工作:表明了微扰理论对lgΓ-lgI曲线的线性预言,即使是在场强不高时,也只是近似成立的。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号