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离子注入掺铒硅光致发光及其退火特性

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利用低温光荧光技术研究了掺铒硅样品的光致发光特性。

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来源
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|1997年|44-46|共3页
会议地点青岛
作者
雷红兵;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
半导体材料;

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专利

1. 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究 [J] . 雷红兵 ,杨沁清 ,王启明 . 半导体学报：英文版 . 1998,第5期
2. 退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响 [J] . 徐飞 ,肖志松 ,程国安 . 核技术 . 2002,第008期
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