退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
卢焕明;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:UHV / CVD掺杂和生长薄Si外延层和SiGe
机译:用于在硅衬底上生长高质量GaAs外延层的GeSi缓冲结构
机译:在线性渐变和阶梯渐变的缓冲层上生长的激光异质结构的EBIC和TEM研究
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs外延层
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs表位层
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。