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梁怡;
中国电子学会;
半导体集成电路;
机译:氮在SiO_2 / SiC界面处引入氮导致氧化物空穴陷阱密度增加对F-N电流降解的影响
机译:使用二次谐波产生填充Si / SiO_2界面附近SiO_2中的硼感应电荷陷阱的光子能量阈值
机译:SiO_2缺陷是SiC / SiO_2系统中近界面陷阱的可能成因:系统的理论研究
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:解开介孔SiO2中的界面相互作用用于光催化活性的中孔SiO2中的介孔SiO 2中镍硅酸盐/ TiO2核壳纳米结构
机译:SiO2缺陷可能是SiC ∕ SiO2系统中近界面陷阱的起源:系统的理论研究
机译:硅氧化研究:siO2和si-siO2界面物理和化学中薄膜二氧化硅形成的最新研究综述
机译:SiO和在内部产生的SiO气体中获得的SiO的细化方式
机译:使用二氧化硅(SiO 2〜)〜(57)。使用二氧化硅作为二氧化硅(SiO〜2〜)。作为粘性砂浆的工业化专利发明了对位二氧化硅(SiO〜2〜)作为argamassacolante的饲料添加剂,它是一种化合物,与水泥的水合过程中产生的弱,不稳定和可溶的hidr钙反应,形成硅酸钙菱角是水泥的强力,稳定和不溶性。增加硅酸钙Hidradona胶结砂浆浓度的这种原因是通过填充空间来抑制过氧化氢氢氧化钙的生长。适当的seupequeno粒径,这两个因素促进了umaumento耐拔出性aoescorregamento;荧光减弱;内聚;脱落少。
机译:Si / SiO2界面氟掺杂过程中控制SiO2腐蚀的方法
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