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利用UHV/CVD生长的Si<,1-X>Ge<,X>合金表面偏析研究

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该文系统分析了利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术外延Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，Ｘ〉合金时Ｇｅ的表面偏析现象。

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来源
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|1997年|108-110|共3页
会议地点青岛
作者
黄靖云;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
半导体材料;

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