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卢焕明;
中国材料研究会;
外延生长; UHV/CVD外延生长; 锗硅碳合金; 二次离子质谱;
机译:通过RF PECVD在175°C下在(100)取向晶体衬底上外延生长硅和锗
机译:等离子体辅助Cvd低温外延生长硅和锗
机译:在UHV-CVD中在Si(001)上低温下Ge层异质外延生长的动力学
机译:使用硅烷和锗烷在Si(100)上进行Si_1-xGe_x合金的UHV-CVD异质外延生长
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:在金属有机化学气相沉积(MOCVD)室中使用锗烷前体在硅(001)上生长锗外延膜并进行表征
机译:硅上的硅锗碳异质外延生长
机译:使用外延生长的硅碳(SiC)或硅锗(SiGe)改善器件性能的方法
机译:超高真空锗在硅上异质外延生长-CVD
机译:超高压/ CVD在硅上异质外延生长锗
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