首页> 中文会议>1998年中国材料研讨会 >不同致密度a-C:D薄膜材料的氧化及氢氘同位素交换

不同致密度a-C:D薄膜材料的氧化及氢氘同位素交换

摘要

利用弹性反冲探测(ERD)、质子弹性散射(PES)及红外谱仪,研究高密度和低密度两种a-C:D薄膜样品,在室温至800K的温度范围内的稳定度。发现了两种薄膜材料在大气中氧化及氢氘同位素交换行为的区别,并讨论了反应机制。

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