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黄云; 费庆宇;
中国电子学会;
栅极漏电极; 失效分析; 肖特基势垒接触; 电流密度;
机译:i-AlGaAs / n-GaAs HIGFET中由于反向电压应力引起的栅极泄漏电流的产生机理
机译:深入了解AIGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管在4.2 K下由栅极泄漏电流引起的低频噪声
机译:表面状态和体电子陷阱对AlGaAs / InGaAs p-HEMT中栅极漏电流和跨导色散的影响
机译:新栅极金属电极技术的InGaAs / Inalas / InP HEMT的降解机理及可靠性改进
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:栅极定义的GaAs / AlGaAs横向量子点的纳米加工
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:通过应力感应泄漏电流测量评估等离子体感应栅极介电质的退化
机译:使用Rogowski线圈原理分析漏电流的导数的Medi u00e7stico并确定挡块的退化程度-射线
机译:包含InGaAs n沟道栅极的低功率AlGaAs / GaAs互补FET
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