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Wang Bo; 汪波; 李豫东; Li Yu-dong; Guo Qi; 郭旗; Liu Chang-ju; 刘昌举; Ren Di-yuan; 任迪远; Wen Lin; 文林; MA Li-ya; 玛丽娅; 曾骏哲; Zeng Jun-zhe; Wang Hai-jiao; 王海娇;
中国电子学会;
中国核学会核电子学与核探测技术分会;
γ射线辐照; 有源像素传感器; 互补金属氧化物半导体; 总剂量辐射效应;
机译:具有掩埋沟道SOI源跟随器的混合体/ SOI CMOS有源像素的总剂量辐射效应
机译:X射线和中子辐照CMOS单片有源像素传感器的退火研究
机译:电荷耦合器件(CCD)成像器和CMOS有源像素传感器中的辐射效应
机译:通过热退火提高商用CMOS有源像素传感器的总剂量容限
机译:用于数码相机的CMOS有源像素传感器:最新技术。
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:CMOS有源像素传感器的总剂量效应
机译:使用外延硅敏感区域的集成X射线和带电粒子有源像素CmOs传感器阵列
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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