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付玉霞; 刘志弘; 刘志农;
中国电子学会;
发射区刻蚀; 薄层电阻; SiGe晶体管; 刻蚀实验;
机译:SiGe层横向选择性刻蚀和多层Si / SiGe结构中的多层SOI结构的形成
机译:双酸刻蚀与化学修饰的亲水性双酸刻蚀植入物表面的界面生物力学特性:在Beagles中进行的实验研究
机译:自旋刻蚀方法刻蚀特性的实验研究
机译:SiGe / Si系统中SiGe层的选择性刻蚀机理
机译:在四甲基氢氧化铵中各向异性刻蚀硅的实验研究和建模。
机译:湿法各向异性刻蚀对SiGe / Ge桥和膜进行微纳加工
机译:siGe / si异质结构上siGe的选择性刻蚀
机译:3D:Si SiGe Ge原子层刻蚀3D结构:水平和垂直表面上的SI和SIGE和GE光滑度
机译:具有超低扩散P +发射区的SiGe异质结双极晶体管
机译:用含有收集区,基区和发射区以及至少两个相互平行的发射区strokevormige发射区所包含的halegeleiderlichaam富集的半geleleiderlichaam,其交替变窄和变宽。
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