碲镉汞材料Raman光谱中662cm<'-1>和749cm<'-1>散射峰的识别

摘要

利用显微Raman光谱仪在光谱范围50cm<'-1>~1000cm<'-1>测量了两块碲镉汞(Hg<,0.80>Cd<,0.20>Te)体晶片的Raman光谱,观察到了662cm<'-1>和749cm<'-1>的两个新Raman散射峰;为了识别两个新Raman散射峰,在相同的光谱范围还测量了一块用液相外延LPE方法生长的碲镉汞(Hg<,0.80>Cd<,0.20>Te)外延薄膜的Raman光谱,在LPE碲镉汞薄膜的Raman谱中只观察到749cm<'-1>的Raman散射峰.通过比较分析,可以肯定的判断,碲镉汞体材料中662cm<'-1>散射峰为材料的多级声子散射峰,749cm<'-1>峰为与碲镉汞材料表面Te氧化物相关的散射峰.