平面光波回路用均匀折射率厚SiO<,2>膜制备技术研究

摘要

通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO<,2>薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO<,2>膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.4448;折射率不均匀度小于0.01﹪.