首页> 中文会议>第十八届全国复合材料学术会议 >SiC高温氧化行为及机理分析

SiC高温氧化行为及机理分析

摘要

通过对SiC粉体的静态氧化实验,研究了C/C复合材料SiC涂层在700~1500℃范围内的高温氧化行为,并对其氧化机制进行了分析.通过在石墨基材上制备SiC涂层,有效验证了涂层的抗氧化性能.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号