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邓婉婷; 吴爱民; 张广英; 秦富文; 董闯; 姜辛;
中国核学会;
表面物理与化学国家重点实验室;
核燃料及材料国家级重点实验室;
多晶硅薄膜; 择优取向; 晶化率; 化学气相沉积; 等离子增强; 电子回旋共振;
机译:ECR-PECVD沉积的二氧化硅用于低温Si器件处理
机译:低温催化化学气相沉积(<150℃)和激光晶化的非晶硅膜沉积在多晶硅薄膜晶体管中的应用
机译:低温多晶硅薄膜晶体管的远程等离子体化学气相沉积法沉积栅极绝缘膜
机译:RF磁控溅射用施加的基板偏压将多晶硅薄膜的低温直接沉积多晶硅薄膜
机译:使用ECR-PECVD的氢化非晶硅锗薄膜和器件的高生长速率沉积。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:偏压对电子回旋共振等离子体在CoCrMo合金上制备的氢化非晶碳膜性能的影响增强了化学气相沉积(ECR-PECVD)
机译:先进显示技术中的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:低温多晶硅薄膜的组成及其在低温下的直接淀积和电感耦合等离子体化学气相沉积设备制造多晶硅薄膜的方法
机译:薄膜晶体管阵列基板,低温多晶硅薄膜晶体管以及制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法
机译:低温多晶硅薄膜晶体管基板的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管基板
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