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缪国庆; 张铁民; 金亿鑫; 蒋红; 李志明; 宋航;
中国宇航学会;
红外与激光编辑部;
铟镓砷; 金属有机化合物气相沉积; 探测器;
机译:II型INAS / GASB超晶格红外探测器的材料和器件表征
机译:用于近红外探测器的Si上Ge的热蒸发:材料和器件表征
机译:栅极底划栅极介绍的广泛仿真研究In0.53GA0.47AS / InP Hetero场效应晶体管
机译:在INP上沉积溶胶 - 凝胶衍生的无机和复合材料膜进行INP进行集成光学器件
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:氮掺杂对TiO2基固态染料敏化太阳能电池器件操作的影响:从材料到器件的光物理
机译:对(NH4)(2)S钝化(22%,10%,5%或1%)的Al2O3 / In0.53Ga0.47As / InP系统的n型和p型钝化性能的系统研究In0.53Ga0.47As外延层
机译:In0.53Ga0.47as / Inp对称增益光电混频器的设计与分析
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:INP基板,INP半导体器件和INP基板的制造
机译:在热壁反应器中使用有机金属前体在InP衬底上生长器件质量InP的方法
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