MOCVD生长Si基AlGaN/GaN HEMTs研究

摘要

利用MOCVD生长了无裂纹Si基GaN及AlGaN/GaN HEMTs外延材料.采用在高温AIN缓冲层上直接生长GaN缓冲层及HEMTs结构,分别研究了工艺条件对GaN晶体质量和HEMT电学性质的影响.制作并分析了200/μm GaN HEMT器件的直流和微波小信号特性。