ZnO纳米线阵列的量子限域效应研究

摘要

在纳米电子及光电子应用领域， ZnO纳米线作为优良的一维宽带隙半导体结构在紫外发光、场致发射、传感器、太阳能电池等方面潜在的应用价值。ZnO纳米线的可控制备和特性研究对于ZnO纳米线结构或者器件应用研究极为关键。本文首先利用．ZnO陶瓷靶材在Si(100)衬底上溅射制备ZnO纳米晶薄膜，然后以此薄膜作为籽晶层通过低温水热法实现了直径尺度小于20nm的ZnO半导体纳米线阵列的自组织垂直取向生长。PL谱测试结果表明，ZnO纳米线薄膜样品的室温光致发光谱的近紫外带边发射峰相比于ZnO薄膜发生明显的蓝移现象，利用量子限域效应对该现象进行了分析。