低压功率VDMOS的设计研究

摘要

本文对功率集成电路中耐压为60V，电流容量为2．5A的VDMOS进行了设计和仿真。在理论计算的基础上，分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。rn 通过ISE TCAD器件仿真软件，得出相关终端结构，进而完成最终版图结构。