基于SETMOS混合器件积分器性能的研究

摘要

随着集成电路的集成度不断攀升，集成化器件的特征尺寸已进入纳米级。单电子晶体管(SET)作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳米MOS混合构成的器件(SETMOS)是目前研究的热点之一。SETMOS作为一种新的混合器件结合了两者的优点，它同时具有与SET一样的库仑振荡特性和 MOS高增益等特性。集成滤波器作为模拟信号处理方面的基本单元电路，也必须顺应时代的发展。本文基于一种SETMOS混合器件的，I-V特性的数学模型，设计实现了一种SETMOS电压有损积分器，并阐述了SETMOS积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。并用SPICE对其传输特性进行了仿真。仿真结果证明了在其通带范围内均有良好的幅频特性和较小的相移。并且验证了其低电压、低功耗和高频率的特点。