第三代太阳能电池的多层Si量子点超晶格结构的制备及其研究

摘要

自从第三代太阳能电池的概念被提出以来，由于其无毒、原材料丰富、高效率、低成本而吸引起了广泛的研究兴趣。我们利用低成本的全硅材料来实现第三代太阳能电池的结构，率先通过大生产线上使用的电子束蒸发设备和技术，大面积、低成本、快速高效地制备出多屠Si量子点超晶格结构，成功地将Si量子点嵌入在SiO2和SiO2构成的势垒中。透射电镜的观察表明Si量子点的尺寸在5.0 nm；光致发光光谱(PL)和拉曼光谱的测量表明多层Si量子点超晶格结构的量子效应，对能带的调节作用非常显着，可应用到全Si第三代太阳能电池中去。