Tm3+掺杂65GeS2-25Ga2S3-10CsI微晶玻璃光谱特性

摘要

采用适当的热处理工艺制备了系列掺Tm3+的透明GeS2-Ga2S3-CsI硫卤微晶玻璃.测试了基质玻璃和微晶玻璃样品的密度、显微硬度、红外光谱以及在800nm激光泵浦下的近红外及中红外荧光光谱.结果表明:热处理后样品析出的晶相颗粒为Ga2S3和GeS2的混合体,晶粒尺寸限制在100nm以内;而原本掺杂在玻璃基质中的Tm3+富集在析出的Ga2S3和GeS2晶体的周围,引起了Tm3+周围环境的改变.因此,热处理后的微晶玻璃样品的近红外和中红外荧光强度增强.