高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用

摘要

本文提出了一种新型InP界面控制层技术来降低高K介质/InGaAsMOS结构的界面态密度。通过系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP界面控制层的InGaAsMOS结构的界面态密度比无界面控制层的MOS结构下降了一个数量级，达到4×1011cm-2eV-1的水平。采用此新型界面工程研制的20微米栅长高迁移率InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管显示出优越的器件特性，其最大饱和电流大于40mS/mm，跨导大于20mS/mm。