有限厚度电介质薄膜材料和半无限大介质之间的近场辐射换热研究

摘要

研究了薄膜硼掺杂硅Si-19和半无限大物体在100 nm间距下的近场辐射换热随薄膜厚度的变化。半无限大物体分别采用了相同的Si-19和SiC材料。研究结果表明，当半无限大物体为相同的Si-19材料时，由于表面波的激发和耦合，使得近场辐射换热随薄膜的厚度变化非常复杂。而当半无限大物体为SiC时，由于材料不相同，破坏表面波的耦合，使得表面波的激发对辐射换热的增强程度降低，因此在相同计算区域内热流密度随着厚度的增加单调增加，没有出现极值点。