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Hu Bo-xiong; 胡波雄; Wang Gang; 王刚; Lan Yang; 兰洋; Tang Kang-song; 唐康淞;
中国电子学会;
功率放大器; 双包络跟踪; 工作效率; 线性性能;
机译:一种新颖的牺牲栅堆叠工艺,用于抑制具有浅BF / sub 2 /注入源极/漏极扩展层的p-MOSFET中的硼渗透
机译:在任何分级系数下均考虑MOSFET非线性漏极至源极电容和非线性栅极至漏极电容的E类功率放大器设计
机译:具有任意分级系数的MOSFET非线性漏源寄生电容的E类ZVS功率放大器的分析,设计和实现
机译:一种新颖的MMIC功率放大器,使用栅宽不等的共源共栅FET
机译:高线性功率放大器的漏极偏置
机译:一种新颖的LAT / LCK双缺陷T细胞宿络J.Cam1.7用于早期TCR信号的组合分析
机译:一种精确的天线建模技术和非线性射频功率放大器混合仿真
机译:pLaTsIm:一种用于大型柔性系统的高效线性仿真和分析软件包
机译:利用LTPS TFT中的栅-漏和栅-源C-V配置的晶粒边界横向分布的分析装置和方法
机译:具有容性栅漏交叉耦合的推挽RF功率放大器
机译:用于非易失性信息存储的浮栅存储单元具有源/漏配置,具有两个源/漏区,允许通过两个公共源/漏区访问所有浮栅
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